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国资委:专门研究制定中央企业落实国家碳达峰、碳中和转型路径

2025-07-02 01:51:44家居风尚 作者:admin
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等效氧化物厚度(EOT=0.54nm)、究制家碳径栅极长度(L=7.8nm)和电源电压(VSD=0.74V)根据2021国际半导体技术路线图(ITRS)对高性能晶体管进行参数化。然而,定中达峰由于不可避免的化学无序和缺陷诱导的带隙态,定中达峰传统的金属:半导体(MS)界面通常遭受强费米尔钉扎,从而限制了栅的可调控性【研究简介】近日,清华大学精密仪器系李黄龙副教授(通讯作者)及其博士后吕娟(第一作者)在Adv.Mater.上发表了一篇题目为ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。

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